高压MOSFET(≥400V)Active

SMT12N65E

TO-263, Active

江苏森美特SMT12N65E,电压600V~1700V全覆盖，Rds(on)低至0.1Ω，栅极电荷Qg小至14nC，超结突破硅极限、SiC助力高效转换。采用TO-220/TO-247/DFN全封装，支持国产替代。原厂技术直连，-55℃~150℃稳定，批次一致性稳。支持样品实测。
SMT12N65E
Status
Active
Package
TO-263
ID(A)
12
V Dss[V]
650
VGS(th)[V]
2.0-4.0
RDSON（MAX)(Ω)
0.7

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SMT12N65E
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制程变更通知
—
Material Composition Declaration
材质成分声明
—