半導體原材料的三個發展階段 — SUNMATE

半導體原材料經歷了三個發展階段：

第一階段是以矽（Si）和鍺（Ge）為代表的第一代半導體材料

第二階段以砷化鎵等化合物為代表磷化銦（磷化銦）

第三階段是基於寬帶半導體材料，如氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）、硒化鋅（ZnSe）

半導體材料與器件的發展史

材料領域中，第一代、第二代、第三代沒有「一代更比一代好」的說法。氮化鎵、碳化矽等材料在國外一般稱為寬禁帶半導體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料製成氮化物半導體，或將氮化鎵、砷化鎵、磷化銦製成Ⅲ—Ⅴ族半導體。我國使用的「第三代半導體材料」一詞，對應的是人類歷史上大規模應用半導體材料所帶來的三次產業革命。目前，第三代半導體發展迅速，第一、第二代半導體在工業中仍得到廣泛應用，在第三代半導體中發揮著不可替代的作用。