第二代半導體材料介紹 — SUNMATE

第二代半導體材料

崛起時間：

20世紀90年代以來，隨著移動通信的快速發展，以光纖通信和互聯網為基礎的信息高速公路的興起，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代半導體材料開始湧現。。

代表性材料：

第二代半導體材料為化合物半導體。如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）。砷化鎵鋁。也有一些固溶體半導體，如Ge—Si、Ga As—GaP。玻璃半導體（又稱非晶半導體），如非晶矽、玻璃狀氧化物半導體。有機半導體，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。

性能特點：

以砷化鎵為例。與第一代半導體相比，砷化鎵具有高頻、耐輻射、耐高溫等特點，因此被廣泛應用於主流商用無線通信、光通信，以及國防軍事等領域。

歷史意義：

第二代半導體材料主要用於製作高速、高頻、大功率和發光電子器件，是製作高性能微波、毫米波器件和發光器件的優良材料。由於信息高速公路和互聯網的興起，還廣泛應用於衛星通信、移動通信、光通信和GPS導航等領域。例如，與第一代半導體相比，砷化鎵(GaAs)可用於光電子領域，特別是在紅外激光器和高亮度紅光二極管中。

進入21世紀以來，智能手機、新能源汽車、機器人等新興電子技術迅猛發展。與此同時，全球能源和環境危機也日益突出。材料的性能限製已不能滿足科學技術的需要，這就呼喚新材料的出現來代替。