區分肖特基二極管與快恢復二極管 — SUNMATE
區分肖特基二極管與快恢復二極管
1、結構原理不同,肖特基二極管是貴重金屬和n型半導體結合成,快恢復二極管是普通pn結加了個薄基區。
2、快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結構上有采用PN結型結構,有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高於普通二極管(1-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長,後者則在100納秒以下。 肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管,稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode),具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢復時間很短(10-40納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低於150V,多用於低電壓場合。
3、肖特基二極管反向擊穿電壓大多不高於60V,最高僅約100V,限製其使用,快恢復二極管反向峰值可以到幾百到幾千伏,因此像在開關電源變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管等只有使用快速恢復(UFRD)。
4、肖特基正向導通壓降僅0.4V左,快回復二級館0.6伏, 總的來說,由於肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微,所以其頻率響僅為RC時間常數限製,因而,它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。並且,MIS(金屬-絕緣體-半導體)肖特基二極管可以用來製作太陽能電池或發光二極管。快恢復二極管:有0.8-1.1V的正向導通壓降,35-85nS的反向恢復時間,在導通和截止之間迅速轉換,提高了器件的使用頻率並改善了波形。快恢復二極管在製造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓。目前快恢復二極管主要應用在逆變電源中做整流元件。