肖特基二極管的命名 — SUNMATE

肖特基二極管的命名：

肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，

完整的叫法是：肖特基整流二極管（Schottky Rectifier Diode 縮寫成 SR），

也有人叫做：肖特基勢壘二極管（Schottky Barrier Diode 縮寫成 SBD）的簡稱。

肖特基：Schottky

整流：Rectifier

SR：即為肖特基整流二極管

Schottky Rectifier Diode：肖特基整二極管，簡稱：SR，比如：SR107，SR10100CT......

肖特基：Schottky

勢壘：Barrier

SB：即為肖特基勢壘二極管

肖特基二極管也稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），國內廠家也有叫做「SB1045CT、SR10100、SL....、BL....

Schottky Barrier Diode：肖特基勢壘二極管，簡稱：SB，比如：SB107，SB1045CT......

Schottky Barrier Diode：也有簡寫為：SBD 來命名產品型號前綴的。但 SBD 不是利用 P 型半導體與 N 型半

導體接觸形成 PN 結原理製作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理製作的。

因此，SBD 也稱為金屬-半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

關於肖特基 MBR 系列

為什麽國際通用常見的肖特基二極管都以「MBR」字頭命名？

因為最早是世界著名半導體公司－摩托羅拉半導體命名的產品型號

M：是以最早 MOTOROLA 的命名，取 M

B：Bridge 橋；Barrier：勢壘

R：Rectifier，整流器 「MBR」意為整流器件

SCHOTTKY：肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二極管。

例如：MBR10200CT M：MOTOROLA 縮寫 M

B：Barrier1 縮寫 B

R：Rectifier 縮寫 R

10：電流 10A

200：電壓 200V

C：表示 TO-220AB 封裝，常指半塑封。

T：表示管裝

MBR1045CT，其中的「C」：表示 TO-220 封裝；MBR6045PT，其中的「P」：表示 TO-3P 封裝

元件的封裝形式也在型號的前綴第四位字母中體現，例如：

MBRD10100CT：第四位的 D，表示貼片 DPAK 封裝

MBRB10100CT：第四位的 B，表示貼片 D2PAK 封裝

MBRF10100CT：第四位的 F，表示 TO-220 全塑封

TO-252，也就是貼片 DPAK 封裝；TO-263，也就是貼片 D2PAK 封裝；任何型號的命名都有它的規律性可

循。例如：MBR20100CT，型號中就 20100 是阿拉伯數字，20100 中，20 是電流，100 是電壓。以此類推。

MBR、SR、SL、SB、STB、STP 都是常見的半導體公司對肖特基產品的型號命名。各廠家命名有不同。

1、肖特基它是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛應用於開關電源、變頻器、驅動器等電

路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管使用，或在微波通信等電路中作

整流二極管、小信號檢波二極管使用。

2、肖特基二極管的結構 肖特基二極管在結構原理上與 PN 結二極管有很大區別，它的內部是

由陽極金屬（用鉬或鋁等材料製成的阻擋層）、二氧化矽（SiO2）電場消除材料、N 外延層（砷材

料）、N 型矽基片、N 陰極層及陰極金屬等構成。

在 N 型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。

當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N 型基片接電源負極）時，肖特基

勢壘層變窄，其內阻變小；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其

內阻變大。

肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。

采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續流二極管或保護二極管

使用。它有單管式和對管（雙二極管）式兩種封裝形式。

肖特基對管又有：

共陰（兩管的負極相連）、共陽（兩管的正極相連）和

串聯（一只二極管的正極接另一只二極管的負極）三種管腳引出方式。

采用表面封裝的肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式，有 A～19 種管腳

引出方式。