mos管原理及幾種常見失效分析 — SUNMATE

mos管（以N溝道增強型mos場效應管）它是利用VGS來控製「感應電荷」的多少，以改變由這些「感應電荷」形成的導電溝道的狀況，然後達到控製漏極電流的目的。在製造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

mos管常見失效分析：

1、雪崩失效（電壓失效）

也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過mosFET的額定電壓，並且超過達到了一定的能力從而導致mosFET失效。

2、SOA失效（電流失效）

既超出mosFET安全工作區引起失效，分為Id超出器件規格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。

3、體二極管失效

在橋式、LLC等有用到體二極管進行續流的拓撲結構中，由於體二極管遭受破壞而導致的失效。

4、諧振失效

在並聯使用的過程中，柵極及電路寄生參數導致震蕩引起的失效。

5、靜電失效

在秋冬季節，由於人體及設備靜電而導致的器件失效。

6、柵極電壓失效

由於柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。